ad5000odj22gi参数具体指哪些配置?

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这是一个非常典型的电子元器件命名规则,我们可以把它拆解成几个部分来理解,这颗芯片几乎可以肯定是 意法半导体 生产的。

ad5000odj22gi参数
(图片来源网络,侵删)

型号命名规则拆解

我们将 AD5000ODJ22GI 拆开来看:

部分 字母/数字 含义解析
制造商 AD STMicroelectronics (意法半导体) 的一个特定产品系列前缀,在ST的MOSFET产品线中,"AD"通常代表其特定应用或技术系列。
特性 5000 这通常表示器件的某些关键特性,在MOSFET中,这很可能与 R_DS(on) (导通电阻)Q_g (栅极电荷) 有关,对于AD系列,5000 通常代表其 R_DS(on) 的目标值,单位是毫欧,所以这里的 5000 ≈ 5.0 mΩ (5毫欧),这是一个非常低的导通电阻,意味着导通时损耗极小,效率很高。
封装/电压 OD 这部分通常表示 封装类型OD 对应的是 LFPAK56 封装,这是一种非常流行的表面贴装封装,具有低热阻、易于散热的特点,常用于大电流应用。
J J 通常表示 “ Junction Temperature (结温)” 等级。J 一般代表 175°C 的高结温,这对于功率器件的可靠性和高温应用至关重要。
22 22 这部分通常表示器件的 关键电气参数,结合上下文,它最有可能代表 V_DSS (漏源击穿电压),即器件能承受的最大电压。22 = 22V
G G 这通常代表 “Gate Threshold Voltage (栅极阈值电压)” 的范围或特性,或者表示这是一个 增强型 N沟道MOSFET。
I I 通常代表 “Trench” (沟槽) 技术,意法半导体常用这个字母来标识其采用了沟槽栅技术的MOSFET,这种技术有助于降低R_DS(on)和提高开关性能。

根据以上拆解,我们可以得出 AD5000ODJ22GI 的核心参数:

参数类别 参数项 典型值 / 说明
基本特性 器件类型 N-Channel Enhancement Mode MOSFET (N沟道增强型MOSFET)
制造商 STMicroelectronics (意法半导体)
电气特性 漏源击穿电压 22V (V_DSS)
连续漏极电流 通常在 100A200A 之间 (具体值需查数据手册,取决于散热条件)
脉冲漏极电流 通常在 400A 以上 (同样取决于脉冲宽度和散热)
导通电阻 ~5.0 mΩ (R_DS(on) @ V_GS=10V) - 这是其最核心的优势,极低的导通电阻意味着导通损耗极小。
栅极阈值电压 0V ~ 2.5V (V_GS(th)) - 低阈值电压易于驱动。
开关特性 栅极电荷 较低,具体值需查数据手册,低Q_g意味着开关速度快,驱动损耗小。
输入电容 较低,影响开关速度。
热特性 最大结温 175°C (T_J)
封装 LFPAK56 (OD)
热阻 (结到壳) 极低,通常在 5 °C/W 以下,散热性能极佳。

主要特点与应用场景

主要特点:

  1. 超低导通电阻 (R_DS(on) ≈ 5mΩ):这是最大的亮点,在开关电源、电机驱动等应用中,导通损耗是主要的能量损耗来源,极低的R_DS(on)能显著提高系统效率,减少发热。
  2. 高电流处理能力:得益于优异的封装和低R_DS(on),它能够处理非常大的连续和脉冲电流。
  3. 优异的散热性能:LFPAK56封装具有大面积的散热焊盘,能够非常高效地将芯片产生的热量传导到PCB上,确保器件在高温大电流下稳定工作。
  4. 高开关速度:较低的栅极电荷使其适合高频开关应用,如同步整流、DC-DC转换器等。

典型应用场景:

基于以上特点,AD5000ODJ22GI 主要用于对效率和散热有极高要求的场合:

  • 开关电源:特别是 服务器电源、通信电源 等大功率AC-DC或DC-DC转换器中的 主开关管同步整流管
  • 电机驱动:如 无刷直流电机步进电机 的驱动器,尤其是在需要高效率和快速响应的场合。
  • 负载开关:在电池供电设备中,用作高效率的电源路径管理开关。
  • DC-DC 转换器:如 Buck (降压)、Boost (升压)、Buck-Boost 等拓扑结构中的功率开关管。
  • 不间断电源:逆变器部分的关键功率器件。
  • 工业自动化:各种需要精确控制和高效率的功率控制模块。

重要提醒:

参数是基于型号命名规则的典型推断和行业惯例。最准确、最权威的参数信息,请务必查阅意法半导体 官方发布的《AD5000ODJ22GI 数据手册》。 数据手册中会包含所有电气特性、机械尺寸、典型应用电路、安全工作区等详细信息。

ad5000odj22gi参数
(图片来源网络,侵删)
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